IT之家 7 月 31 日音尘🦄九游娱乐(中国)网址在线，韩媒 ZDNet Korea 报说念称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版块尚未得到量产许可，对平泽 P4 工场的产线斥地蓄意形成了影响。

三星电子本年 4 月文牍其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版块达成量产，对应的 QLC 版块则将于本年下半年干预量产阶段。

琢磨词直到现时，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、资本更低的 QLC 闪存现时恰是 AI 推理就业器存储需求的热门。

明星家具前程不解，使得三星电子里靠近是否将平泽 P4 工场第一阶段都备用于 NAND 分娩存在不同声息。

▲三星电子平泽园区

把柄三星电子此前的蓄意，平泽 P4 工场将成为一个轮廓性的半导体分娩中心，其包含四个阶段，可制造逻辑、NAND、DRAM 等家具，

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其中 P4 工场的第一阶段用于 NAND 分娩、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。

不外由于晶圆代工订单数目不及，而以 HBM 为代表的 DRAM 内存家具需求火爆，三星电子已于上半年调治了平泽 P4 工场投资琢磨，先行斥地 DRAM 内存产线，延后逻辑代工线斥地。

三星电子现时在平泽 P4 工场第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆，此前冷漠了到来岁将月度晶圆投片量普及至 45000 片的琢磨。

但 V9 QLC NAND 并未实时得到量产许可，导致有里面东说念主士觉得应该将第一阶段的部分斥地面积用于前程更明确的 DRAM 分娩。